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ST/意法半导体 场效应管 STW26NM60N MOSFET N-channel 600 V Md

类别: 半导体存储器

价格: 电联

发布人: 成思思

联系电话: 1320932****

信息详情

品牌
ST/意法半导体
批号
21+
数量
10000
QQ
2850505216
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
165 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
系列
STW26NM60N
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
5.15 mm
下降时间
50 ns
上升时间
25 ns
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
38 g
可售卖地
全国
型号
STW26NM60N


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